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BPW 34 - Silizium-PIN-Fotodiode, 50μA / 430...1100nmSilizium-PIN-Fotodiode Beschreibung Die BPW34 ist eine PIN-Fotodiode mit hoher Geschwindigkeit und hoher Strahlungsempfindlichkeit in einem durchsichtigen Kunststoffgehäuse in Miniaturausführung, das von oben betrachtet werden kann. Sie ist empfindlich für sichtbare und nahe Infrarotstrahlung. Merkmale: • Gehäusetyp: bedrahtet • Ansicht: Draufsicht • Abmessungen (L x B x H in mm): 5,4 x 4,3 x 3,2 • Empfindliche Strahlungsfläche (in mm2): 7,5 • Hohe Lichtempfindlichkeit • Hohe Strahlungsempfindlichkeit • Geeignet für sichtbare und nahe Infrarotstrahlung • Schnelle Reaktionszeiten • Winkel der halben Empfindlichkeit: = ± 65° • Entspricht der RoHS-Richtlinie 2002/95/EG und der WEEE-Richtlinie 2002/96/EG Anwendungen • Hochgeschwindigkeits-Photodetektor0,70 €*Versand: 5,95 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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BPW 34 OSO - Silizium-PIN-Fotodiode, 50μA / 420...1120nmBPW 34 DIL Silizium-PIN-Fotodiode Merkmale: - Paket: Epoxidharz, diffus - Korrosionsrobustheitsklasse: 3B - ESD: 2 kV nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Klasse 2) - Besonders geeignet für Anwendungen von 400 nm bis 1100 nm - Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) - DIL-Kunststoffgehäuse mit hoher Packungsdichte Anwendung: - Elektronische Ausrüstung - Industrielle Automatisierung (Maschinensteuerungen, Lichtschranken, Vision-Steuerungen)0,53 €*Versand: 5,95 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
BPV 10NF - PIN Fotodiode 5mm, Tageslichfilter, 20°, 60μA, 870 - 950nm
Silizium-PIN-Fotodiode Beschreibung: BPV10NF ist eine PIN-Fotodiode mit hoher Geschwindigkeit und hoher Strahlungsempfindlichkeit in schwarz, T-13⁄4 Kunststoffgehäuse mit Tageslichtsperrfilter. Die Filterbandbreite ist mit IR-Emittern von 870 nm bis 950 nm abgestimmt. Merkmale: • Packungstyp: bedrahtet • Gehäuseform: T-13⁄4 • Abmessungen (in mm): Ø 5 • Strahlungsempfindlicher Bereich (in mm2): 0,78 • Anschlüsse mit Abstandshalter • Hohe Strahlungsempfindlichkeit • Tageslicht-Sperrfilter, angepasst an 870-nm- bis 950-nm-Emitter • Hohe Bandbreite: > 100 MHz bei VR = 12 V • Schnelle Reaktionszeiten • Winkel der halben Empfindlichkeit: ? = ± 20° • Entspricht der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC und in Übereinstimmung mit WEEE 2002/96/EC Applikationen: • Hochgeschwindigkeitsdetektor für Infrarotstrahlung • Infrarot-Fernsteuerung und freie Luftdatenübertragung Systeme, z.B. in Kombination mit TSFFxxxx Serie IR Emittenten
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BPV 10NF - PIN Fotodiode 5mm, Tageslichfilter, 20°, 60μA, 870 - 950nmSilizium-PIN-Fotodiode Beschreibung: BPV10NF ist eine PIN-Fotodiode mit hoher Geschwindigkeit und hoher Strahlungsempfindlichkeit in schwarz, T-13⁄4 Kunststoffgehäuse mit Tageslichtsperrfilter. Die Filterbandbreite ist mit IR-Emittern von 870 nm bis 950 nm abgestimmt. Merkmale: • Packungstyp: bedrahtet • Gehäuseform: T-13⁄4 • Abmessungen (in mm): Ø 5 • Strahlungsempfindlicher Bereich (in mm2): 0,78 • Anschlüsse mit Abstandshalter • Hohe Strahlungsempfindlichkeit • Tageslicht-Sperrfilter, angepasst an 870-nm- bis 950-nm-Emitter • Hohe Bandbreite: > 100 MHz bei VR = 12 V • Schnelle Reaktionszeiten • Winkel der halben Empfindlichkeit: ? = ± 20° • Entspricht der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC und in Übereinstimmung mit WEEE 2002/96/EC Applikationen: • Hochgeschwindigkeitsdetektor für Infrarotstrahlung • Infrarot-Fernsteuerung und freie Luftdatenübertragung Systeme, z.B. in Kombination mit TSFFxxxx Serie IR Emittenten0,65 €*Versand: 5,95 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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